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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：STD1HNC60T4

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：PowerMESH II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 1A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：15.5nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：228pF @ 25V

功率 - 最大值：50W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：D-Pak