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MTP12P10G
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ON安森美半導(dǎo)體完整型號:MTP12P10G

制造廠家名稱:ON Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):300 毫歐 @ 6A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):920pF @ 25V

功率 - 最大值:75W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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