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Infineon英飛凌公司完整型號(hào)：IPW65R041CFD

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：68.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：41 毫歐 @ 33.1A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 3.3mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：300nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：8400pF @ 100V

功率 - 最大值：500W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-3