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IPP65R190C7FKSA1
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào): IPP65R190C7FKSA1

制造廠家名稱: Infineon Technologies

功能總體簡述: MOSFET N-CH 650V 13A TO220

系列: CoolMOS C7

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss): 650V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 13A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 190 毫歐 @ 5.7A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 290μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 23nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 1150pF @ 400V

功率 - 最大值: 72W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO220-3


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