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BSZ105N04NS G
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Infineon英飛凌公司完整型號(hào):BSZ105N04NS G

制造廠家名稱:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11A(Ta),40A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 14μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1300pF @ 20V

功率 - 最大值:35W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerTDFN

供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3)


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